El tamaño de un transistor se mide por la anchura de su canal. Los
actuales superan los diez nanómetros. Por debajo el rendimiento en
conmutación se degrada mucho por efecto túnel entre la fuente y el
drenador. El fosforeno promete ser la solución. Este material presenta
una masa efectiva anisótropa y según las simulaciones por ordenador
permite alcanzar un canal de solo un nanómetro sin degradar el
rendimiento en transistores MOSFET y TFET.
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La ley de Moore llegará al nanómetro gracias al fosforeno
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martes, 17 de mayo de 2016
miércoles, 10 de febrero de 2016
El futuro de la ley de Moore
Cada dos años los grandes fabricantes de semiconductores publican una
hoja de ruta para cumplir con la ley de Moore. Intentan que el número de
transistores por procesador se duplique cada dos años. Pero la hoja de
ruta que publicará el próximo mes la Semiconductor Industry Association
(SIA) tendrá otro objetivo: reducir el consumo eléctrico. Por ello,
todo apunta a que 2016 será recordado como el año en que se inició el
fin de la ley de Moore.
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El futuro de la ley de Moore
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